三星电子本周宣布已开始初步试产以 333 与400 MHz DDR SDRAM技术为基础的DRAM。

　　为了与 JEDEC(联合电子装置工程协会)制订的下一代DDR—DDR Ⅱ相容，Samsung已将该公司的 DDR SDRAM频宽加倍，主记忆体部分达 400Mbps，绘图记忆体方面则达 700Mbps。

　　新型DDR SDRAM晶片是为了个人电脑的主记忆体、高阶绘图卡、网路设备以及机上盒所设计。