据韩媒报道，三星在最新的V-NAND闪存技术中首次采用了钼（Mo）。这项技术的“金属布线”工艺是将不同的方式连接数十亿个电子元器件，从而形成不同类型的半导体产品。据悉，三星公司已经从Lam Research公司引进了五台用于沉积钼设备，并计划在明年再引进20台设备。
除了三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。与现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体必须在600℃的高温下才能升华转化为气态，这个过程需要单独的沉积设备。
三星今年5月报道称，已经开始量产他们的第九代V-NAND闪存量产，其位密度比第八代提高了约50%。这一代V-NAND闪存配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可以将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。
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