据韩媒报道，韩国半导体厂商SK海力士正在向东京电子发送测试晶圆，以评估其低温蚀刻设备在NAND闪存生产中的应用潜力。目前，提升3D NAND闪存颗粒的堆叠层数是主要方法，但在增加层数的同时，蚀刻垂直通道的难度也逐渐增大，速度也随之降低。
因此，一些厂商开始考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈，并通过键合技术将它们整合在一起。然而，这种多堆栈结构引入了对齐等问题，并且性能和能效都有所下降。
相比之下，东京电子的新型低温蚀刻设备可以在-70℃的工作环境下完成10微米的蚀刻任务，在33分钟内比现有设备快3倍以上。此外，该设备使用氟化氢（HF）气体进行工作，相比传统系统使用的氟碳化物气体具有更低的温室效应，并且更环保。
与此同时，SK海力士宣布最新一代321层NAND闪存采用了三堆栈结构。业内人士预计，如果东京电子的低温蚀刻设备效果良好，未来400+层闪存产品可能会减少到2甚至1个堆栈。
另一方面，SK海力士的主要竞争对手之一三星电子正在评估导入该工具的演示版本对低温蚀刻进行评估。
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