三星将在2024年第二季度完成其2nm（SF2）工艺的开发，届时其芯片合作伙伴将有机会使用这一先进的制程节点进行产品设计。这项新工艺不仅优化了MBCFET架构，还引入了独特的外延和集成工艺。
与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位，并与竞争对手台积电展开竞争。
为了加强SF2工艺生态系统的建设，三星已经吸引了超过50个合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布与Arm合作，共同优化基于最新GAA晶体管技术的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，以进一步提升性能和效率。
不仅如此，三星还计划推出第三代3nm工艺，旨在继续提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。尽管三星的初代3nm工艺在良品率方面遭遇挑战，但三星并未因此气馁，而是持续投入研发，在未来的工艺中取得更好的表现。
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