据4月16日报道，三星公司计划于本月晚些时候开始量产其最新的第九代V-NAND闪存芯片。这一新型闪存芯片的堆叠层数达到了惊人的290层，相比于现有技术的236层，增长幅度不到23%。
这种新型闪存采用了一种新的堆叠架构，底部是CMOS层和逻辑电路，而顶部则是由145层闪存阵列组成的。这种独特的设计方式虽然使得生产过程更加复杂，但却能够保证产品的良品率，并且也为进一步拓展提供了可能性。
按照三星公司的规划，在接下来的2025年下半年，他们将会推出更高级别的第十代V-NAND闪存产品。这种新的闪存将会达到令人惊叹的430层堆叠。而在更遥远的未来，三星甚至有可能实现1000多层堆叠的目标。
对于中国长江存储来说，在今年下半年内很可能就会实现300层以上的闪存产品的量产。SK海力士公司则计划在明年初推出321层的闪存产品。至于铠侠公司，则宣称他们将在2031年之前完成1000多层闪存产品的生产。
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