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    长江存储X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命

      [  中关村在线 原创  ]   作者:海是天的倒影

    长江存储X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命

    长江存储在中国闪存市场峰会(CFMS 2024)上表示,其采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存已实现 4000 次 P/E 擦写寿命。该技术将 CMOS 电路与闪存阵列分离,提高了 QLC 的可靠性,并实现了更灵活的电压调制和读取窗口裕度提升。这种新技术的应用将使 NAND 闪存行业进入上升期,预计 2023至2027 年的闪存需求总量复合增长率可达 21%,单台设备平均容量的复合增长率为 20%。

    长存 CTO 霍宗亮表示,在这个上升周期中,存储市场面临的三大新挑战是每 Gb 成本快速降低、读写性能加速提升和满足多样化需求。客户期望以同样的价格获得更高密度的存储。然而,在密度提升方面,3D NAND 的堆叠层数成为业界新问题。因此有必要推动 QLC NAND 的应用。

    长江存储展示了基于其第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存和 PC41Q 消费级 QLC 固态硬盘。PC41Q 在数据保持能力和可靠性方面媲美 TLC 固态硬盘,并实现了 30℃ 下 1 年的数据保持和 200 万小时的 MTBF 时间。

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