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    三星完成5纳米EUV工艺研发:功耗降低20%

      [  中关村在线 原创  ]   作者:王景山   |  责编:张剑锋

    中关村在线消息:4月16日,三星在官方网站宣布目前三星电子已经成功完成5nm EUV开发,将能实现芯片的更大面积扩展并带来超低功耗。

    成了!三星官宣完成5纳米EUV工艺研发
    三星

    三星电子表示其5nm(纳米)FinFET工艺技术的开发已完成,并能给客户提供样品。与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高25%,性能提高10%,功耗降低20%,能够带来更多创新的标准单元架构。

    三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae表示“成功完成5nm开发,已证明了我们在基于EUV的节点中的能力,我们将努力加速基于EUV技术的批量生产。”

    三星在2018年10月就宣布准备并初步生产采用EUV光刻技术的7nm工艺,三星目前已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品,在今年年初将开始量产7nm工艺。

    (文中图片来自互联网)

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    news.zol.com.cn true http://news.zol.com.cn/714/7144748.html report 613 中关村在线消息:4月16日,三星在官方网站宣布目前三星电子已经成功完成5nm EUV开发,将能实现芯片的更大面积扩展并带来超低功耗。三星三星电子表示其5nm(纳米)FinFET工艺技术的开发已完成,并能给客户提供样品。与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提...
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