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    台积电工艺线路图曝光:7nm芯片明年4月试产

      [  中关村在线 编译  ]   作者:  |  责编:魏景芳
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       据台湾媒体Digitimes报道,近日台积电在一次内部会议上公开了一份工艺的线路图。台积电10nm制程工艺的芯片将在今年年底投入量产,而7nm制程工艺芯片最早会在明年4月进行试产。对于台积电来说,7nm制程工艺的生产时间要比其他竞争对手早很多,据说英特尔的第一款7nm芯片要等到2022年。

    台积电工艺线路图曝光:7nm芯片明年4月试产
    台积电工艺线路图曝光:7nm芯片明年4月试产(图片来自于Digitimes) 

       据知情人士透露,10nm工艺的芯片面积将比目前的16FF+减小50%,但性能提升50%,耗电减少40%。而7nm制程工艺芯片的晶体管密度将提升163%.有业内人士预计在1V电压下,CPU的时钟频率就能冲到3.8GHz,同时温度上限提升至150度。

       台积电在七月份的时候举行了说明会,董事长张忠谋针对研发支出及先进制程挑战目标,提出更详细说明。另外,台积电方面表示,相关人才招募行动已趁近期毕业生投入职场,积极进行中。另外,为了进一步推动10nm和7nm先进制程的研发进度,台积电将新招募约3000名研发人员,将现有的研发团队人员数量扩充至近万人规模。

       消息称,台积电往年研发支出占年度营收约8%,今年研发支出将再增5%-10%,预计2016年度研发支出将达到720亿元,远超去年的655亿元,更是七年前的六倍之多,这一数字也将刷新台积电研发支出的历史记录。此外,台积电还将在2017年继续增加研发支出,预计会达到900亿元规模。台积电如此大规模投资,主要用来扩大10nm及7nm先进制程研发。

    news.zol.com.cn true //news.zol.com.cn/606/6062324.html report 1185    据台湾媒体Digitimes报道,近日台积电在一次内部会议上公开了一份工艺的线路图。台积电10nm制程工艺的芯片将在今年年底投入量产,而7nm制程工艺芯片最早会在明年4月进行试产。对于台积电来说,7nm制程工艺的生产时间要比其他竞争对手早很多,据说英特...
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